汇杰国际贸易公司

能够用于扩散、氧化、退火、低压化学气相沉积反应。　　CVD Equipment 公司的 6000 系列反应炉系统能够用于扩散、氧化、退火和低压化学气相沉积。我们标准系统和自定义系统是满足您芯片生产需要的最好选择。　·单芯片和多芯片系统　·单管和多管系统　·标准 1 到 4 反应管堆叠系统，带有左侧或右侧装载系统 Cluster tool platform for single or batch wafer processing. Cluster tool platform transfers wafer(s) under high vacuum between process tubes. This allows for the growth of ultra thin oxide layers or prevents the growth of an oxide layer when transferring wafers between process tubes. 　　能够实现常压、低压、超高真空三种 CVD 处理过程反应炉系统性能特征包括：　·能够处理直径 300 毫米以下的芯片　·反应过程温度可控制在 100~1300 摄氏度之间　·反应管密封设计能够提供高纯度可重复生产的环境，从而提高产量　·移动加热炉，进行升温和降温，确保反应过程处在一个适合的温度　·悬臂装载系统能够自动、非接触地装载芯片舟，实现最小粒子的生产　·1 到 4 反应管堆叠系统，带有左侧或右侧装载系统和实时温度控制系统　·热偶测温系统：分布在反应炉上和反应腔内　·48 英寸长反应管温控精度好于 0.5 摄氏度　·每个反应管由独立计算机控制　·各参数图形、数据实时显示
扩散和氧化　·反应管密封设计比较开放式设计，拥有了更多的优势，如下：　·提供尾气处理装置，降低腐蚀、减少污染，提高操作的安全性　·处理过程中无气体扩散　·提高温度均匀性　·降低能耗　·减少气耗　·提高沉积的均匀性和质量　·增加移动反应炉后，能够实时控制芯片表面气体　·在干法氧化、湿法氧化、高温氧化、液态参杂、气态参杂等反应中，设备支持自动控制气体退火反应炉，可用于砷化镓、硅、锗退火处理　　所有半导体材料经过退火后都会改变其晶体结构。例如，在离子注入过程中，离子将部分动能传输到晶格中，破坏晶格结构。在离子注入的退火过程中，原子吸收了充足的热能，重新排列形成新的晶格阵列。为了阻止退火过程中晶体材料的分解，我们给反应管内气体施加一定的压力。退火过程使用氢气、三氢化砷、氨水、合成气体、氩气等其他混合气体。在砷化镓的退火过程中，an Arsenic overpressure is used to allow for capless annealing, yielding sheet resistance uniformities （薄膜电阻均匀性） after annealing of <2% across the wafer. 退火也被应用在金属化，提高表面形态、降低多晶硅内连接电阻并形成硅化物。
低压化学气相沉积，用于沉积多晶硅、氧化硅、氮化硅　　在加热炉、温度控制、气体注入等发面的创新设计相比较一般系统，提供了更好的均匀性和更高的产量。设备易于维护，检修时间短。总之，该设备具有高产量和低成本的特点。其他特点如下：　·适用于4”、6”、8”、12” 以及客户自定义尺寸晶片和物件。　·支持单体或批量处理。　·加热装置设计独特，温度均匀性高。·精确控温。反应腔密封严紧，内外热偶设计，特别内热偶紧邻 wafer，实时精确监测 wafer 温度。　·实时监控所有气体流量。既能够按照程序设定改变气体流量，也可以随时根据需要进行更改，操作简单。　·供气系统独特设计，任意气路，保证气体均匀性。　·沉积层致密，均匀性高。注：根据客户需求，制定解决方案，设计并生产自定义设备。