高密度电浆蚀刻系统,系针对2~6吋ⅢⅤ族砷化镓MMIC、GaN蓝光LED、LD、VCSEL、HBT制造厂商，提供高效能、高可靠度蚀刻制程全方位解决方案，将可支持各种介电质蚀刻、高深宽比沟渠蚀刻、金属蚀刻及GaN、InP、DBR等化合物半导体蚀刻等应用。此系统不但可满足目前无线通讯、光纤宽带组件的各项制程要求，还可扩大应用于＜0.1微米线宽的芯片制程，此外，Cirie-200具备PC Based全自动化操作功能，亲和方便的使用界面、智能型侦错及全方位互锁保护设计，拥有良好的使用者成本及运转成本，搭配Cluster Tool传输平台，更可大幅提高工厂的效率与生产力。

 

Cirie-200最吸引人的特点是拥有先进的晶圆背部氦气冷却技术，搭配晶圆挟持基座设计，可创造出极优异的晶圆温度控制能力；另外，创新的大面积高密度电浆源(300 mm)，以及最佳化均匀流场与排气效率Design In考虑，提供最高产出率（每批量可同时处理13片2吋晶圆 ）、高再现性与稳定性、优异的Batch to Batch均匀性＜±3%。

 

Cirie-200系统采用AST聚昌科技的大面积电感藕合式高密度电浆源技术（多项专利申请中），这项创新技术具备极佳的300 mm晶圆蚀刻均匀性、制程弹性、零缺陷、更长平均PM间隔时间（MTBC）与稳定的高生产力。另外此系统尚具有下列优点：模块反应室材料与先进表面处理技术；先进晶圆背部冷却基座技术；优异温度控制能力；大尺寸晶圆均匀流场Design In设计；与低耗材等特点，确保量产所需之重复性。