Cede-200电浆辅助化学气相沉积系统，是套可升级支持200mm单晶圆、可搭配多反应室的先进电浆介电质薄膜沈积制程设备，此系统可应用在制作高均匀性(<3%)、高致密性的氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiO2)及碳化硅(SiC)等高质量薄膜沉积，提供ⅢⅤ族半导体制造过程中所需的阶梯覆盖及隙缝填补能力，包括保护层（passivation）、隔离层（isolation）和介电绝缘层（dielectric）沉积等制程应用，实为制造MMIC、VCSEL、蓝光LED、LD等光电与通讯半导体组件的最佳首选。

 

Cede-200具有多项先进的技术能力，能在200mm晶圆范围内提供均匀、低应力且无隙洞的薄膜沉积，其核心为采用聚昌科技所独特设计的高性能、高可靠度的电浆源产生系统、经由精准的反应室进气∕抽气流体动力学数值模拟，设计出能在晶圆表面形成均匀的流场分布、及具先进多模热传导均温控制功能的精密薄膜沉积环境，再藉由专有的制程参数（如RF电浆功率、反应气体流量、制程压力、第二MF功率及电浆清洗技术等等）之控制，都可让使用者充份利用整片晶圆面积，拥有最长的运转时间，还可将薄膜缺陷与微粒数目减到最少，提高晶圆的整体产能与制造良率。

P200C同时可搭配AST聚昌科技Cluster Tool传输平台，将可大幅提升P200C设备的高晶圆产出率与设备使用弹性、效率，有效降低人工成本与人为疏失所造成的良率损失，以及提供使用者更低的设备购置成本与使用、维修成本。