1， NUV近紫外光刻线条可保证0.6um, DUV深紫外光刻线条可保证0.25um，深紫外光刻机可以兼容NUV和DUV功能,

2， 均匀性4“wafer可保证2-3%, 6" wafer 可保证3-5％，
3， 支持厚胶光刻,

4， 卡盘的特殊设计，使得卡盘可以同时向下兼容不同尺寸wafer的光刻，比如: 6”的卡盘可以同时兼容2，3，4，5，6寸及任意形状（piece part）wafer的光刻，
5，掩膜板可以移动45度，同时卡盘有X，Y，Z，及Theta方向的调解装置，调解的精度为0.5um和0.1um两种，Theta方向为0.0001度,

6，配备为90X-600X（可扩展至1500倍）可实现连续放大功能，

7，由双CCD系统显示，左右视场均可单独调解放大及对比度的功能,

8，配有，红外、可见光两种后对准方式，可以实现系统逐步升级,

9，有真空、软接触、硬接触、接近式等工作模式,
10，可实现自动楔形找平。

　

独特设计
1，配有为单芯片（singal die）光刻的特殊卡盘
2，配有环形照明系统使得光刻机在使用不同特性光刻胶及材料时，均可得到清晰易辨认的对准图形
3，配有独特的棱镜装置，使得最小的双视场对准尺寸随小为10mm
4，为防止特殊工艺时wafer与掩膜粘连，配有氮气填充装置。